METHOD FOR DETERMINING A CONCENTRATION OF METAL IMPURITIES CONTAMINATING A SILICON PRODUCT
본 발명의 방법은 규소 제품을 오염시키는 금속 불순물의 농도를 측정한다. 상기 방법은, 금속 불순물이 표면에 옮겨 붙은 규소 제품의 시험 샘플을 얻음을 포함한다. 시험 샘플을 제1 용기 내에 위치시킨다. 제1 산 용액을 상기 시험 샘플을 함유하는 상기 제1 용기에 첨가한다. 상기 시험 샘플을 상기 제1 산 용액 내에 침지시켜, 제1 산 용액, 금속 불순물, 및 분해된 규소를 포함하는 혼합 용액을 생성시킴을 포함한다. 분해되지 않은 규소를 혼합 용액으로부터 분리한다. 상기 혼합 용액을 분석하여 상기 규소 제품을 오염시키는 금속 불순물...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 본 발명의 방법은 규소 제품을 오염시키는 금속 불순물의 농도를 측정한다. 상기 방법은, 금속 불순물이 표면에 옮겨 붙은 규소 제품의 시험 샘플을 얻음을 포함한다. 시험 샘플을 제1 용기 내에 위치시킨다. 제1 산 용액을 상기 시험 샘플을 함유하는 상기 제1 용기에 첨가한다. 상기 시험 샘플을 상기 제1 산 용액 내에 침지시켜, 제1 산 용액, 금속 불순물, 및 분해된 규소를 포함하는 혼합 용액을 생성시킴을 포함한다. 분해되지 않은 규소를 혼합 용액으로부터 분리한다. 상기 혼합 용액을 분석하여 상기 규소 제품을 오염시키는 금속 불순물의 농도를 측정한다. |
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