STORAGE DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING CLOCK CONTROL UNIT OR VOLTAGE CONTROL UNIT, AND OPERATING METHOD THEREOF
A storage device according to an embodiment of the present invention comprises flash memory and a memory controller. The memory controller performs retry operation 1 on the flash memory at a first data input and output speed when an operation error occurs in the flash memory, and performs retry oper...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | A storage device according to an embodiment of the present invention comprises flash memory and a memory controller. The memory controller performs retry operation 1 on the flash memory at a first data input and output speed when an operation error occurs in the flash memory, and performs retry operation 2 on the flash memory at a second data input and output speed lower than the first data input and output speed when the operation error in the flash memory cannot be corrected by retry operation 1. According to the present invention, a clock frequency for input and output of data in the flash memory is set to a low value in an environment, such as a low-temperature environment, and is set to a high value at warm temperature or room temperature, thereby maximizing performance of the storage device and minimizing operation errors.
본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는 플래시 메모리와 메모리 컨트롤러를 포함한다. 상기 메모리 컨트롤러는 상기 플래시 메모리에 동작 오류가 발생한 경우에 제 1 데이터 입출력 속도로 상기 플래시 메모리에 대한 제 1 재처리 동작(retry operation 1)을 수행하고, 상기 제 1 재처리 동작에 의해 상기 플래시 메모리의 동작 오류가 구제되지 않는 경우에 상기 제 1 데이터 입출력 속도보다 낮은 제 2 데이터 입출력 속도로 상기 플래시 메모리에 대한 제 2 재처리 동작(retry operation 2)을 수행한다. 본 발명에 의하면, 추운 온도와 같은 환경에서는 플래시 메모리의 데이터 입출력을 위한 클록의 주파수를 낮추어 주고, 따뜻한 온도 또는 상온에서는 클록 주파수를 높게 설정함으로, 저장 장치의 성능을 극대화하고 동작 오류를 최소화할 수 있다. |
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