SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM

In supplying process gas to a substrate to process the substrate in a vacuum atmosphere, sliding of the substrate on a loading base accompanied with a change in pressure is suppressed. Process gas is supplied to a wafer (W) loaded on a loading base (3), pressure in a vacuum container (2) is set to first pressure, and then the internal pressure is changed to second pressure that is lower than the first pressure. The wafer (W) is raised from the loading base (3) by lifting pins (41) simultaneously with the change in set pressure. When the pressure is changed from the first pressure to the second pressure, the process gas entering between the surface of the loading base (3) and the wafer (W) is discharged, and the wafer (W) on the surface of the loading base (3) is slid by the operation of flow of the process gas. For this reason, when the pressure is changed, the wafer (W) is raised from the loading base (3) by the lifting pins (41) to support the wafer (W) at the front ends of three lifting pins (41). Accordingly, static friction is increased, and the sliding of the wafer (W) on the loading base (3) during processing is suppressed. 진공 분위기에서 기판에 처리 가스를 공급해서 처리를 행함에 있어서, 압력 변동에 수반되는 적재대 상의 기판의 미끄러짐을 억제하는 것. 적재대(3) 상에 적재된 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급함과 함께 진공 용기(2) 내의 압력을 제1 압력으로 설정하고, 그 후, 내부 압력을 제1 압력보다도 낮은 제2 압력으로 변경한다. 그리고 설정 압력의 변경과 동시에 승강 핀(41)에 의해 웨이퍼(W)를 적재대(3)로부터 상승시킨다. 제1 압력에서 제2 압력으로 압력을 변경하면, 적재대(3) 표면과 웨이퍼(W)와의 사이에 들어간 처리 가스가 배출되고, 이 처리 가스의 흐름의 작용에 의해 적재대(3) 표면의 웨이퍼(W)가 미끄러진다. 이 때문에 압력을 변경할 때 승강 핀(41)에 의해 웨이퍼(W)를 적재대(3)로부터 상승시켜서 웨이퍼(W)를 3개의 승강 핀(41)의 선단에서 지지한다. 이에 의해 정지 마찰력이 증대되어, 처리 중에 있어서의 적재대(3) 상의 웨이퍼(W)의 미끄러짐이 억제된다.