METHOD OF FORMING A HARDMASK MATERIAL LAYER
The present invention relates to a method to form a hard-mask material layer. More specifically, the method includes: a step of providing a substrate including a first area having relatively denser topology patterns, and a second area having relatively less dense topology patterns or not having any...
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| creator | KIM, HYUN WOO YU, NAE RY KIM, MIN SOO YI, SONG SE SONG, HYUN JI LEE, WON KI BAEK, JAE YEOL KIM, MYEONG KOO |
| description | The present invention relates to a method to form a hard-mask material layer. More specifically, the method includes: a step of providing a substrate including a first area having relatively denser topology patterns, and a second area having relatively less dense topology patterns or not having any topology pattern; a step of forming a first hard-mask material layer to cover front sides of the first and second areas while filling gaps between the topology patterns of the first area; a step of thermally treating the first hard-mask material film to differentiate solvent solubility between parts between the topology patterns of the first area and the other parts; a step of removing the first hard-mask material layer formed on the front sides of the first and second areas, to make at least part of the first hard-mask material layer remain between the topology patterns of the first area; and a step of forming a second hard-disk material layer to cover the front sides of the first and second areas. Therefore, the present invention is capable of quickly obtaining a hard-mask layer with significantly improved flatness without additional pollution, and manufacturing a device with high precision.
본 발명은 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 상대적으로 더 조밀한 토폴로지(topology) 패턴을 갖는 제 1 영역 및 상대적으로 덜 조밀한 토폴로지 패턴을 갖거나 토폴로지 패턴이 형성되어 있지 않은 제 2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 영역의 토폴로지 패턴들 사이를 채우면서 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 1 하드마스크 물질막을 형성하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이의 부분과 나머지 부분들 간의 용매 용해도가 달라지도록 상기 제 1 하드마스크 물질막을 열처리하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이에서 상기 제 1 하드마스크 물질막의 적어도 일부가 잔존하도록 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면에 형성된 제 1 하드마스크 물질막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 2 하드마스크 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 하드마스크 물질막 형성 방법을 이용하면 평탄도가 현저히 개선된 하드마스크 막을 추가 오염의 우려 없이 신속하게 얻을 수 있고 높은 정밀도를 갖는 소자를 제조할 수 있게 된다. |
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본 발명은 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 상대적으로 더 조밀한 토폴로지(topology) 패턴을 갖는 제 1 영역 및 상대적으로 덜 조밀한 토폴로지 패턴을 갖거나 토폴로지 패턴이 형성되어 있지 않은 제 2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 영역의 토폴로지 패턴들 사이를 채우면서 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 1 하드마스크 물질막을 형성하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이의 부분과 나머지 부분들 간의 용매 용해도가 달라지도록 상기 제 1 하드마스크 물질막을 열처리하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이에서 상기 제 1 하드마스크 물질막의 적어도 일부가 잔존하도록 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면에 형성된 제 1 하드마스크 물질막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 2 하드마스크 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 하드마스크 물질막 형성 방법을 이용하면 평탄도가 현저히 개선된 하드마스크 막을 추가 오염의 우려 없이 신속하게 얻을 수 있고 높은 정밀도를 갖는 소자를 제조할 수 있게 된다.</description><language>eng ; kor</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2016</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20160809&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20160094220A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20160809&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20160094220A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KIM, HYUN WOO</creatorcontrib><creatorcontrib>YU, NAE RY</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, MIN SOO</creatorcontrib><creatorcontrib>YI, SONG SE</creatorcontrib><creatorcontrib>SONG, HYUN JI</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE, WON KI</creatorcontrib><creatorcontrib>BAEK, JAE YEOL</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, MYEONG KOO</creatorcontrib><title>METHOD OF FORMING A HARDMASK MATERIAL LAYER</title><description>The present invention relates to a method to form a hard-mask material layer. More specifically, the method includes: a step of providing a substrate including a first area having relatively denser topology patterns, and a second area having relatively less dense topology patterns or not having any topology pattern; a step of forming a first hard-mask material layer to cover front sides of the first and second areas while filling gaps between the topology patterns of the first area; a step of thermally treating the first hard-mask material film to differentiate solvent solubility between parts between the topology patterns of the first area and the other parts; a step of removing the first hard-mask material layer formed on the front sides of the first and second areas, to make at least part of the first hard-mask material layer remain between the topology patterns of the first area; and a step of forming a second hard-disk material layer to cover the front sides of the first and second areas. Therefore, the present invention is capable of quickly obtaining a hard-mask layer with significantly improved flatness without additional pollution, and manufacturing a device with high precision.
본 발명은 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 상대적으로 더 조밀한 토폴로지(topology) 패턴을 갖는 제 1 영역 및 상대적으로 덜 조밀한 토폴로지 패턴을 갖거나 토폴로지 패턴이 형성되어 있지 않은 제 2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 영역의 토폴로지 패턴들 사이를 채우면서 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 1 하드마스크 물질막을 형성하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이의 부분과 나머지 부분들 간의 용매 용해도가 달라지도록 상기 제 1 하드마스크 물질막을 열처리하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이에서 상기 제 1 하드마스크 물질막의 적어도 일부가 잔존하도록 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면에 형성된 제 1 하드마스크 물질막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 2 하드마스크 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 하드마스크 물질막 형성 방법을 이용하면 평탄도가 현저히 개선된 하드마스크 막을 추가 오염의 우려 없이 신속하게 얻을 수 있고 높은 정밀도를 갖는 소자를 제조할 수 있게 된다.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2016</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZND2dQ3x8HdR8HdTcPMP8vX0c1dwVPBwDHLxdQz2VvB1DHEN8nT0UfBxjHQN4mFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8d5BRgaGZgYGliZGRgaOxsSpAgDdVCVi</recordid><startdate>20160809</startdate><enddate>20160809</enddate><creator>KIM, HYUN WOO</creator><creator>YU, NAE RY</creator><creator>KIM, MIN SOO</creator><creator>YI, SONG SE</creator><creator>SONG, HYUN JI</creator><creator>LEE, WON KI</creator><creator>BAEK, JAE YEOL</creator><creator>KIM, MYEONG KOO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20160809</creationdate><title>METHOD OF FORMING A HARDMASK MATERIAL LAYER</title><author>KIM, HYUN WOO ; YU, NAE RY ; KIM, MIN SOO ; YI, SONG SE ; SONG, HYUN JI ; LEE, WON KI ; BAEK, JAE YEOL ; KIM, MYEONG KOO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20160094220A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2016</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KIM, HYUN WOO</creatorcontrib><creatorcontrib>YU, NAE RY</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, MIN SOO</creatorcontrib><creatorcontrib>YI, SONG SE</creatorcontrib><creatorcontrib>SONG, HYUN JI</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE, WON KI</creatorcontrib><creatorcontrib>BAEK, JAE YEOL</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, MYEONG KOO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KIM, HYUN WOO</au><au>YU, NAE RY</au><au>KIM, MIN SOO</au><au>YI, SONG SE</au><au>SONG, HYUN JI</au><au>LEE, WON KI</au><au>BAEK, JAE YEOL</au><au>KIM, MYEONG KOO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF FORMING A HARDMASK MATERIAL LAYER</title><date>2016-08-09</date><risdate>2016</risdate><abstract>The present invention relates to a method to form a hard-mask material layer. More specifically, the method includes: a step of providing a substrate including a first area having relatively denser topology patterns, and a second area having relatively less dense topology patterns or not having any topology pattern; a step of forming a first hard-mask material layer to cover front sides of the first and second areas while filling gaps between the topology patterns of the first area; a step of thermally treating the first hard-mask material film to differentiate solvent solubility between parts between the topology patterns of the first area and the other parts; a step of removing the first hard-mask material layer formed on the front sides of the first and second areas, to make at least part of the first hard-mask material layer remain between the topology patterns of the first area; and a step of forming a second hard-disk material layer to cover the front sides of the first and second areas. Therefore, the present invention is capable of quickly obtaining a hard-mask layer with significantly improved flatness without additional pollution, and manufacturing a device with high precision.
본 발명은 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 상대적으로 더 조밀한 토폴로지(topology) 패턴을 갖는 제 1 영역 및 상대적으로 덜 조밀한 토폴로지 패턴을 갖거나 토폴로지 패턴이 형성되어 있지 않은 제 2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 영역의 토폴로지 패턴들 사이를 채우면서 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 1 하드마스크 물질막을 형성하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이의 부분과 나머지 부분들 간의 용매 용해도가 달라지도록 상기 제 1 하드마스크 물질막을 열처리하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이에서 상기 제 1 하드마스크 물질막의 적어도 일부가 잔존하도록 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면에 형성된 제 1 하드마스크 물질막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 2 하드마스크 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 하드마스크 물질막 형성 방법을 이용하면 평탄도가 현저히 개선된 하드마스크 막을 추가 오염의 우려 없이 신속하게 얻을 수 있고 높은 정밀도를 갖는 소자를 제조할 수 있게 된다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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