METHOD OF FORMING A HARDMASK MATERIAL LAYER

The present invention relates to a method to form a hard-mask material layer. More specifically, the method includes: a step of providing a substrate including a first area having relatively denser topology patterns, and a second area having relatively less dense topology patterns or not having any topology pattern; a step of forming a first hard-mask material layer to cover front sides of the first and second areas while filling gaps between the topology patterns of the first area; a step of thermally treating the first hard-mask material film to differentiate solvent solubility between parts between the topology patterns of the first area and the other parts; a step of removing the first hard-mask material layer formed on the front sides of the first and second areas, to make at least part of the first hard-mask material layer remain between the topology patterns of the first area; and a step of forming a second hard-disk material layer to cover the front sides of the first and second areas. Therefore, the present invention is capable of quickly obtaining a hard-mask layer with significantly improved flatness without additional pollution, and manufacturing a device with high precision. 본 발명은 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 상대적으로 더 조밀한 토폴로지(topology) 패턴을 갖는 제 1 영역 및 상대적으로 덜 조밀한 토폴로지 패턴을 갖거나 토폴로지 패턴이 형성되어 있지 않은 제 2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 영역의 토폴로지 패턴들 사이를 채우면서 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 1 하드마스크 물질막을 형성하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이의 부분과 나머지 부분들 간의 용매 용해도가 달라지도록 상기 제 1 하드마스크 물질막을 열처리하는 단계; 상기 제 1 영역의 상기 토폴로지 패턴들 사이에서 상기 제 1 하드마스크 물질막의 적어도 일부가 잔존하도록 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면에 형성된 제 1 하드마스크 물질막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 전면을 덮도록 제 2 하드마스크 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 하드마스크 물질막의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 하드마스크 물질막 형성 방법을 이용하면 평탄도가 현저히 개선된 하드마스크 막을 추가 오염의 우려 없이 신속하게 얻을 수 있고 높은 정밀도를 갖는 소자를 제조할 수 있게 된다.