SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FORMING THE SAME

A manufacturing method of a semiconductor device comprises the following steps of: forming mask patterns on a substrate; forming a sub-film, which covers the mask patterns, on the substrate; anisotropically etching the sub-film to form sub-patterns on sidewalls of the mask patterns; and etching the mask patterns and the sub-patterns of the substrate by an etching mask to form a trench, which defines active patterns. Therefore, the method can easily manufacture a semiconductor device having excellent reliability. 반도체 소자의 제조방법은, 기판 상에 마스크 패턴들을 형성하는 것, 상기 기판 상에 상기 마스크 패턴들을 덮는 보조막을 형성하는 것, 상기 보조막을 이방성 식각하여 상기 마스크 패턴들의 측벽들 상에 보조 패턴들을 형성하는 것, 상기 마스크 패턴들 및 상기 보조 패턴들을 식각 마스크로 상기 기판을 식각하여, 활성 패턴들을 정의하는 트렌치를 형성하는 것을 포함한다.