IMPROVED CHAMBER CLEANING WHEN USING ACID CHEMISTRIES TO FABRICATE MICROELECTRONIC DEVICES AND PRECURSORS THEREOF

본 발명은 산성 케미스트리들로 처리되는 웨이퍼 표면들 상의 오염을 감소시키는 처리 정책들을 제공한다. 정책들은 민감성 마이크로전자 피쳐들 또는 그 전구체들을 포함하는 것들을 포함하는, 광범위한 웨이퍼들과 함께 사용하기에 적합하다. 이들 정책들은 오염의 원인일 수 있는, 다른 프로세싱 챔버 표면들로부터 뿐 아니라 워크피스(들)의 전면으로부터의 잔여 산 및 산성 부산물들을 빠르고 효과적으로 제거하는 중성화 및 린싱 정책들의 결합을 수반한다. The present invention provides treatment strategies that reduce contamination on wafer surfaces that are treated with acid chemistries. The strategies are suitable for use with a wide variety of wafers, including those including sensitive microelectronic features or precursors thereof. These strategies involve a combination of neutralizing and rinsing strategies that quickly and effectively remove residual acid and acid by-products from both the front side of workpiece(s) as well as from other processing chamber surfaces that can be causes of contamination.