THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

A thin film transistor substrate according to the present invention is provided to stably drive a thin film transistor device in a gate-in-panel (GIP) display device. The thin film transistor substrate includes: a substrate divided into a display area and an outer periphery area; a plurality of gate lines and data lines crossing each other to define pixels in the display area; a pixel thin film transistor positioned at each crossing point of the gate lines and data lines; a plurality of GIP thin film transistors mounted on the outer periphery area; a gate driver for sequentially applying gate signals to the gate lines; a data driver connected to one ends of the data lines to apply data signals; and a control unit for controlling the gate driver and the data driver. Each of the pixel thin film transistors and the GIP thin film transistors includes, on the substrate, a first gate electrode, an active layer formed on the first gate electrode, source and drain electrodes connected to both sides of the active layer on the active layer, and an organic insulating film covering the source and drain electrodes. Each of the GIP thin film transistors further includes a second gate electrode formed on the organic insulating layer corresponding to the active layer. The organic insulating layer of each GIP thin film transistor is thinner than the insulating layer of the pixel thin film transistor. 본 발명의 박막 트랜지스터 기판은, GIP(Gate-In-Panel) 방식의 표시 장치에서, 박막 트랜지스터 소자의 구동 안정화를 꾀한 것으로, 표시 영역과 주변의 외곽 영역으로 구분된 기판;과, 상기 표시 영역에, 서로 교차하여 화소를 정의하는 복수개의 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인들과 데이터 라인들의 각 교차점에 위치한 화소 박막 트랜지스터;와, 상기 외곽 영역에 실장되어, 복수개의 GIP 박막 트랜지스터들을 포함하여, 상기 게이트 라인들에 순차적으로 게이트 신호를 인가하는 게이트 드라이버;와, 상기 데이터 라인들의 일단과 연결되어, 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버; 및 상기 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 화소 박막 트랜지스터와 상기 GIP 박막 트랜지스터들은, 각각 상기 기판 상에, 제 1 게이트 전극과, 상기 제 1 게이트 전극 상부에 형성된 액티브층과, 상기 액티브층 상에 상기 액티브층의 양측과 접속한 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮는 유기 절연막을 포함하며, 상기 GIP 박막 트랜지스터들은 각각 유기 절연막 상에, 상기 액티브층과 대응하여 형성된 제 2 게이트 전극을 더 포함하고, 상기 GIP 박막 트랜지스터들의 유기 절연막은, 상기 화소 박막 트랜지스터의 유기 절연막보다 두께가 작은 것을 특징으로 한다.