ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEREOF

본 발명은 전극간의 전극부에 압착되는 도전 입자 밀도 및 스페이스부의 도전 입자 밀도를 조절하여 쇼트를 방지할 수 있고, 원가 절감 효과 및 접속 특성이 향상된 이방성 도전 필름 및 이에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an anisotropic conductive film that can prevent a short circuit by adjusting density of conductive particles pressed to electrode parts bet...

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Hauptverfasser: PARK KYOUNG SOO, JUNG KWANG JIN, KIM JI YEON, HWANG JA YOUNG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 전극간의 전극부에 압착되는 도전 입자 밀도 및 스페이스부의 도전 입자 밀도를 조절하여 쇼트를 방지할 수 있고, 원가 절감 효과 및 접속 특성이 향상된 이방성 도전 필름 및 이에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an anisotropic conductive film that can prevent a short circuit by adjusting density of conductive particles pressed to electrode parts between electrodes and density of conductive particles in a space between the electrodes and exhibit enhanced cost-reduction effects and connection characteristics, and a semiconductor device connected thereby.