SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MOLYBDENUM NITRIDE, MOLYBDENUM OXYNITRIDE OR MOLYBDENUM-BASED ALLOY MATERIAL, AND METHOD OF MAKING SUCH STRUCTURES

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MOLYBDENUM NITRIDE, MOLYBDENUM OXYNITRIDE OR MOLYBDENUM-BASED ALLOY MATERIAL, AND METHOD OF MAKING SUCH STRUCTURES

반도체 구조물은 기판 위의 제1 전극, 제1 전극 위의 고 K 유전 재료 및 고 K 유전 재료 위의 제2 전극을 포함할 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 1개는 몰리브덴 질화물(MoN) 재료, 몰리브덴 산질화물(MoON) 재료, 몰리브덴 산화물(MoO) 재료, 및 몰리브덴 및 질소를 포함하는 몰리브덴계 합금 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 재료를 포함할 수 있다. A semiconductor structure may include a first electrode over a substrate, a high-K diel...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ROCKLEIN MATTHEW N, BHAT VISHWANATH, ANTONOV VASSIL, REDDY KOTHA SAI MADHUKAR
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:반도체 구조물은 기판 위의 제1 전극, 제1 전극 위의 고 K 유전 재료 및 고 K 유전 재료 위의 제2 전극을 포함할 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 1개는 몰리브덴 질화물(MoN) 재료, 몰리브덴 산질화물(MoON) 재료, 몰리브덴 산화물(MoO) 재료, 및 몰리브덴 및 질소를 포함하는 몰리브덴계 합금 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 재료를 포함할 수 있다. A semiconductor structure may include a first electrode over a substrate, a high-K dielectric material over the first electrode, and a second electrode over the high-K dielectric material, wherein at least one of the first electrode and the second electrode may include a material selected from the group consisting of a molybdenum nitride (MoaNb) material, a molybdenum oxynitride (MoOxNy) material, a molybdenum oxide (MoOx) material, and a molybdenum-based alloy material comprising molybdenum and nitrogen.