SPUTTERING TARGET FOR FORMING WIRING FILM OF FLAT PANEL DISPLAY

이 발명의 플랫 패널 디스플레이의 구리 합금 배선막 및 그것을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃은, Mg : 0.1 ∼ 5 원자% 를 함유하고, 추가로 Mn 및 Al 중의 1 종 또는 2 종의 합계 : 0.1 ∼ 11 원자% 를 함유하고, 필요에 따라 P : 0.001 ∼ 0.1 원자% 를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다. A copper alloy wiring film of a flat panel display of the present invention and a sputtering target f...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: ASAO HARUHIKO, YAGUCHI KENICHI, NAKASATO YOSUKE, MAKI KAZUNARI
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:이 발명의 플랫 패널 디스플레이의 구리 합금 배선막 및 그것을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃은, Mg : 0.1 ∼ 5 원자% 를 함유하고, 추가로 Mn 및 Al 중의 1 종 또는 2 종의 합계 : 0.1 ∼ 11 원자% 를 함유하고, 필요에 따라 P : 0.001 ∼ 0.1 원자% 를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다. A copper alloy wiring film of a flat panel display of the present invention and a sputtering target for forming the same have a composition including Mg: 0.1 to 5 atom %; either one or both of Mn and Al: 0.1 to 11 atom % in total; and Cu and inevitable impurities as the balance, and if necessary, may be further including P: 0.001 to 0.1 atom %.