ETCHING METHOD, ETCHING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM

[과제] 에칭액을 전부 교환하지 않으면서, 웨이퍼로부터 용출되는, 에칭액 내의 용출 성분의 농도를 결정된 일정한 범위로 유지하여, 웨이퍼에 대하여 정밀하게 에칭 처리를 실시한다. [해결수단] 에칭 방법은, 복수의 에칭 공정과, 각 에칭 공정 사이의 인터벌 공정을 구비하고 있다. 각 에칭 공정은, 에칭 처리에 제공된 에칭액을 제1 설정량만큼 배출하고, 신규 에칭액을 제2 설정량만큼 공급하는 제1 부분 교환 패턴을 포함한다. 인터벌 공정은, 에칭 처리에 제공된 에칭액을 제3 설정량만큼 배출하고, 신규 에칭액을 제4 설정량만큼 공급하는...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SHIOKAWA TOSHIYUKI, SATO HIDEAKI, HARA HIROMI, KAWAZU TAKAHIRO, FURUKAWA TAKAHIRO, FUTAMATA YUSUKE, SATOH TAKAMI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	[과제] 에칭액을 전부 교환하지 않으면서, 웨이퍼로부터 용출되는, 에칭액 내의 용출 성분의 농도를 결정된 일정한 범위로 유지하여, 웨이퍼에 대하여 정밀하게 에칭 처리를 실시한다. [해결수단] 에칭 방법은, 복수의 에칭 공정과, 각 에칭 공정 사이의 인터벌 공정을 구비하고 있다. 각 에칭 공정은, 에칭 처리에 제공된 에칭액을 제1 설정량만큼 배출하고, 신규 에칭액을 제2 설정량만큼 공급하는 제1 부분 교환 패턴을 포함한다. 인터벌 공정은, 에칭 처리에 제공된 에칭액을 제3 설정량만큼 배출하고, 신규 에칭액을 제4 설정량만큼 공급하는 제2 부분 교환 패턴을 포함한다.