OPERATIING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY SYSTEM

The present invention relates to a method for operating a nonvolatile memory system, to enhance the reliability of detecting an optimal read voltage. According to one embodiment of the present invention, the method comprises the following steps: detecting the number of on-cells of memory cells on the basis of a start sampling voltage; comparing the detected number of on-cells with a reference value; setting sampling voltages on the basis of the comparison result; performing a sampling operation on the memory cells on the basis of the sampling voltages; and detecting an optimal read voltage to discriminate any one of program states on the basis of the result of the sampling operation. 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법은 시작 샘플링 전압을 기반으로 복수의 메모리 셀들의 온-셀 개수를 검출하는 단계; 검출된 온-셀 개수 및 기준 값을 비교하는 단계; 비교 결과를 기반으로 복수의 샘플링 전압들을 설정하는 단계; 복수의 샘플링 전압들을 기반으로 복수의 메모리 셀들에 대한 샘플링 동작을 수행하는 단계; 및 샘플링 동작의 결과를 기반으로 복수의 프로그램 상태들 중 어느 하나의 프로그램 상태를 판별하는 최적 읽기 전압을 검출하는 단계를 포함한다.