SACRIFICIAL MATERIAL FOR STRIPPING MASKING LAYERS

에치 마스크 제거 동안 에칭된 피쳐들을 보호하는 기술들 및 구조들. 실시예들에서, 마스크가 패터닝되고 이러한 패턴을 옮기도록 기판 층이 에칭된다. 기판 층을 에칭하는 것에 후속하여, 기판 층 내로 패터닝된 피쳐들은 에치 마스크를 백필하는 희생성 재료에 의해 덮인다. 마스크의 적어도 상부 부분은 기판 피쳐들이 희생성 재료에 의해 보호되는 상태로 제거된다. 희생성 재료 및 마스크의 임의의 잔류 부분이 그리고 나서 제거된다. 추가적 실시예들에서, 기판 층 내로 에칭되는 게이트 콘택트 개구는 다층의 에치 마스크의 제1 재료 층과 동일한 조성을 갖는 희생성 재료에 의해 보호된다. 기판 층과 유사한 조성을 갖는 에치 마스크의 제2 재료 층은 후속하여 희생성 재료를 제1 마스크 재료 층과 동시에 제거하기 이전에 제거된다. Techniques and structures for protecting etched features during etch mask removal. In embodiments, a mask is patterned and a substrate layer etched to transfer the pattern. Subsequent to etching the substrate layer, features patterned into the substrate are covered with a sacrificial material backfilling the etch mask. At least a top portion of the mask is removed with the substrate features protected by the sacrificial material. The sacrificial material and any remaining portion of the mask are then removed. In further embodiments, a gate contact opening etched into a substrate layer is protected with a sacrificial material having the same composition as a first material layer of a multi-layered etch mask. A second material layer of the etch mask having a similar composition as the substrate layer is removed before subsequently removing the sacrificial material concurrently with the first mask material layer.