GAS SPRAY NOZZLE FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

The present invention relates to a gas injection nozzle for chemical vapor deposition to supply reaction gas into a chemical vapor deposition device forming a thin film on a wafer. The gas injection nozzle for chemical vapor deposition comprises: a gas supply pipe which supplies raw gas; and a gas injection header which includes a generation unit generating reaction gas from the raw gas and an injection unit which injects the reaction gas generated in the generation unit, wherein the generation unit is provided with a reaction flow passage in which a reactant provided in the generation unit reacts with the raw gas flowing from the gas supply pipe to generate the reaction gas, and the reaction flow passage may be formed in a zigzag shape. Accordingly, reaction efficiency of the reactant and the raw gas is increased, the amount of generated reaction gas is increased, and it is possible to supply sufficient reaction gas into a chamber. 본 발명은 웨이퍼에 박막을 형성하는 화학기상증착장치의 내부로 반응가스를 공급하는 화학기상증착용 가스분사노즐로서, 원료가스를 공급하는 가스공급관 및 상기 원료가스로부터 반응가스를 생성하는 생성부와 상기 생성부에서 생성된 반응가스를 분사하는 분사부를 갖는 가스분사헤더를 포함하고, 상기 생성부에는 그 생성부에 구비되는 반응체와 상기 가스공급관으로부터 유입되는 원료가스가 반응하여 상기 반응가스가 생성되는 반응유로가 형성되고, 상기 반응유로는 지그재그 형상으로 형성될 수 있다. 이에 의하여, 반응체와 원료가스의 반응 효율이 증가되고, 반응가스의 생성량이 증가되어, 챔버 내로 충분한 반응가스를 공급할 수 있다.