LIGHT EMITTING DIODE HAVING ELECTRODE PADS
Disclosed is a light emitting diode including electrode pads. The light emitting diode includes: a substrate; an n-type semiconductor layer placed on the substrate; a p-type semiconductor layer placed on the n-type semiconductor layer; an active layer interposed between the n-type and p-type semicon...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | Disclosed is a light emitting diode including electrode pads. The light emitting diode includes: a substrate; an n-type semiconductor layer placed on the substrate; a p-type semiconductor layer placed on the n-type semiconductor layer; an active layer interposed between the n-type and p-type semiconductor layers; a transparent electrode layer making ohmic contact with the p-type semiconductor layer; a first electrode pad electrically connected wo the n-type semiconductor layer; a second electrode pad placed on the transparent electrode layer; an insulating layer separating the second electrode pad from the transparent electrode layer by being interposed between the transparent electrode layer and the second electrode pad; and at least one upper extending part electrically connected to the second electrode pad, and making contact with the transparent electrode layer on the same layer. The insulating layer covers the transparent electrode layer but includes at least one opening part on the transparent electrode layer to electrically connect the second electrode pad with a second conductive semiconductor layer.
전극패드들을 갖는 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는, 기판; 기판 상에 위치하는 n형 반도체층; n형 반도체층 상에 위치하는 p형 반도체층; n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 개재된 활성층; p형 반도체층에 오믹콘택하는 투명 전극층; n형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극패드; 투명 전극층 상에 위치하는 제2 전극패드; 투명 전극층과 제2 전극패드 사이에 개재되어 제2 전극패드를 투명 전극층으로부터 이격시키는 절연층; 및 제2 전극패드에 전기적으로 연결되며, 투명 전극층 상에서 투명 전극층에 접촉하는 적어도 하나의 상부 연장부를 포함하고, 상기 절연층은 투명 전극층을 덮되, 투명 전극층 상에 제2 전극 패드와 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하기 위한 적어도 하나의 개구부를 갖는다. |
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