CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS, WRITING METHOD USING CHARGED PARTICLE BEAM AND SHOT CORRECTING METHOD OF CHARGED PARTICLE BEAM WRITING

The present invention relates to a charged-particle beam lithography apparatus, a lithography method using the charged-particle beam, and a shot correcting method in the charged-particle beam lithography. In a charged-particle beam lithography apparatus which writes a latent image of micropatterns on a resist layer using charged-particle beam with regard to a sample on which the resist layer is formed on a member to be patterned, a shot data making and processing device, which is involved in making shot data for each shot of the charged-particle beam to be irradiated on the resist layer is installed. To this end, used are design data for the micropatterns and correctional information for each of the cross-sectional size of the shot and a shot irradiation position which are obtained from in-plane distributional data for XY dimensional variations when patterns for measuring dimensions are formed, under a certain condition, on a testing sample which has a composition of layers corresponding to the sample. 피패터닝 부재 상에 레지스트층이 형성된 시료에 있어서의 상기 레지스트층에 하전 입자 빔으로 미세 패턴의 잠상을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 장치에, 상기 시료에 대응한 층 구성을 갖는 테스트 샘플에 소정의 조건 하에 다수의 치수 측정용 패턴을 형성했을 때의 XY 치수 변동량의 면 내 분포 데이터로부터 얻어지는 샷 단면 사이즈 및 샷 조사 위치 각각의 보정 정보와, 상기 미세 패턴의 설계 데이터를 사용해서 상기 레지스트층에 조사해야 할 하전 입자 빔의 각 샷의 샷 데이터를 작성하는 샷 데이터 작성 처리 장치를 설치한다.