METAL GATE WITH SILICON SIDEWALL SPACERS

Provided is a metal gate with a silicon sidewall spacer. A method according to the present invention includes: a step of forming an opening portion in a dielectric to expose a protruding semiconductor fin; a step of forming gate dielectrics on a sidewall and an upper surface of the protruding semiconductor fin; and a step of forming a conductive diffusion barrier layer on the gate dielectric. The conductive diffusion barrier layer extends into the opening portion. The method further includes: a step of forming a silicon layer which is located on the conductive diffusion barrier layer and extends into the opening portion; and a step of removing a horizontal part and a vertical part of the silicon layer by performing dry etching on the silicon layer. After the dry etching, a conductor layer is formed on the conductive diffusion barrier layer and extends into the opening portion. 방법은 돌출형 반도체 핀을 드러내기 위해 유전체 내에 개구부를 형성하는 단계와, 상기 돌출형 반도체 핀의 측벽 및 상면 상에 게이트 유전체를 형성하는 단계와, 상기 게이트 유전체 위에 전도성 확산 배리어층을 형성하는 단계를 포함한다. 전도성 확산 배리어층은 개구부 내로 연장된다. 방법은, 전도성 확산 배리어층 위에 있고 개구부 내로 연장하는 실리콘층을 형성하는 단계와, 실리콘층 상에서 건식 에칭을 행하여 실리콘층의 수평 부분과 수직 부분을 제거하는 단계를 더 포함한다. 건식 에칭 후에, 전도체층이 전도성 확산 배리어층 위에 형성되어 개구부 내로 연장된다.