SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS AND METHODS OF FORMING ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONTACTS

일부 실시예들이 전기 전도 접촉들을 형성하는 방법들을 포함한다. 개구는 절연 물질을 통해 전도 구조로 형성된다. 전도 플러그는 개구의 하부 영역 내에 형성된다. 스페이서는 개구의 상부의 측면 주변부를 라이닝하도록, 그리고 플러그의 상부 표면의 내측 부분을 노출되게 남기도록 형성된다. 전도 물질은 플러그의 상측 표면의 내측 부분에 접하게 형성된다. 일부 실시예들은 절연 스택 내에 그리고 구리-함유 물질에 접하는 전도 플러그를 가지는 반도체 구조체들을 포함한다. 스페이서는 플러그의 상측 표면의 외측 부분 위에 있고 상측 표면의 내측 부분 바로 위에 있지 않다. 전도 물질은 플러그의 상측 표면의 내측 부분 위에 있고 스페이서의 내측 측면에 접한다. Some embodiments include methods of forming electrically conductive contacts. An opening is formed through an insulative material to a conductive structure. A conductive plug is formed within a bottom region of the opening. A spacer is formed to line a lateral periphery of an upper region of the opening, and to leave an inner portion of an upper surface of the plug exposed. A conductive material is formed against the inner portion of the upper surface of the plug. Some embodiments include semiconductor constructions having a conductive plug within an insulative stack and against a copper-containing material. A spacer is over an outer portion of an upper surface of the plug and not directly above an inner portion of the upper surface. A conductive material is over the inner portion of the upper surface of the plug and against an inner lateral surface of the spacer.