THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL

A thin film transistor array panel includes: a substrate; a gate line disposed on the substrate and including a gate electrode; a gate insulating layer arranged on the gate line; a semiconductor disposed on the gate insulating layer; a circular drain electrode arranged on the semiconductor; a source electrode disposed on the semiconductor and configured in the shape of a circular band bent in the direction where the drain electrode is disposed; a protective layer disposed on the drain and source electrodes, and having a contact hole through which the drain electrode is partially exposed; and a pixel electrode electrically coupled to the drain electrode through the contact hole. The gate electrode includes a circular portion that is overlapped with the drain electrode, and a circular sector-shaped portion that is overlapped with the source electrode. The protective layer includes a thin film transistor sign having the contact hole exposing the drain electrode in an area where the protective layer and the circular portion are overlapped. 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 게이트 전극을 포함하는 게이트선; 상기 게이트선 상에 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 반도체; 상기 반도체 상에 배치되는 원형의 드레인 전극; 상기 반도체 상에 배치되며, 상기 드레인 전극이 배치된 방향으로 굴곡된 원형 띠 형상을 갖는 소스전극; 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극 상에 배치되며, 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 접촉 구멍을 갖는 보호막; 및 상기 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극;을 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 드레인 전극과 중첩하는 원형부, 및 상기 소스 전극과 중첩하는 부채형부를 포함하고, 상기 보호막은 상기 원형부와 중첩하는 영역에 상기 드레인 전극을 노출시키는 상기 접촉 구멍을 갖는 박막 트랜지스터 표시판을 포함한다.