METHOD OF MAKING A NANOSTRUCTURE AND NANOSTRUCTURED ARTICLES

반응종으로 기재의 주 표면을 에칭하면서 사실상 동시에 가스상 혼합물로부터 플라즈마 화학 증착에 의해 표면에 층을 침착시킴으로써 나노구조체를 제조하는 방법 및 나노구조화 물품. 본 방법은 기재를 제공하는 단계, 플라즈마로 형성될 때 기재 상에 층을 침착시킬 수 있는 제1 가스종을, 플라즈마로 형성될 때 기재를 에칭할 수 있는 제2 가스종과 혼합하여, 가스상 혼합물을 형성하는 단계, 가스상 혼합물을 플라즈마로 형성하는 단계, 및 기재의 표면을 플라즈마에 노출시켜 - 표면이 에칭되고, 사실상 동시에, 에칭된 표면의 적어도 일부분 상에 층이 침착되며 -, 그럼으로써 나노구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 기재는 (공)중합체성 재료, 무기 재료, 합금, 고용체, 또는 이들의 조합일 수 있다. 침착된 층은 유기규소 화합물, 금속 알킬 화합물, 금속 아이소프로폭사이드 화합물, 금속 아세틸아세토네이트 화합물, 금속 할로겐화물 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물을 포함하는 반응물 가스를 사용하는 플라즈마 화학 증착의 반응 생성물을 포함할 수 있다. 고 종횡비를 갖고 선택적으로 적어도 하나의 치수에서, 그리고 바람직하게는 3개의 직교하는 치수들에서 랜덤한 치수를 갖는 나노구조체가 제조될 수 있다. A method of making a nanostructure and nanostructured articles by depositing a layer to a major surface of a substrate by plasma chemical vapor deposition from a gaseous mixture while substantially simultaneously etching the surface with a reactive species. The method includes providing a substrate; mixing a first gaseous species capable of depositing a layer onto the substrate when formed into a plasma, with a second gaseous species capable of etching the substrate when formed into a plasma, thereby forming a gaseous mixture; forming the gaseous mixture into a plasma; and exposing a surface of the substrate to the plasma, wherein the surface is etched and a layer is deposited on at least a portion of the etched surface substantially simultaneously, thereby forming the nanostructure. The substrate can be a (co)polymeric material, an inorganic material, an alloy, a solid solution, or a combination thereof. The deposited layer can include the reaction product of plasma chemical vapor deposition using a reactant gas comprising a compound selected from the group consisting of organosilicon compounds, metal alkyl compounds, metal isopropoxide compounds, metal acetylacetonate compounds, metal halide compounds, and combinations thereof. Nanostructures of high aspect ratio and optionally with random dimensions in at least one dimension and preferably in three orthogonal dimensions can be prepared.