SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT

A semiconductor light emitting element comprises: a pit formation layer formed in a first semiconductor layer and provided with a pyramidal pit caused by a threading dislocation generated in the first semiconductor layer; and an active layer formed on the pit formation layer and provided with an embedding unit to embed the pit. The active layer has a multi-quantum well structure having at least one well layer and at least one barrier layer laminated alternately. The embedding unit has at least one embedded well unit corresponding to the well layer and at least one embedded barrier unit corresponding to the barrier layer. In each of the embedded well unit and the embedded barrier unit, a second apex angle of the embedded well unit is smaller than a first apex angle of the embedded barrier unit. The embedded well unit is subsequently formed on the embedded barrier unit. 반도체 발광 소자는 제 1 반도체층 내에 형성되고, 제 1 반도체층 내에 발생하는 관통 전위에 기인하는 추상(錐狀, pyramidal)의 피트(pit)를 가진 피트 형성층; 피트 형성층상에 형성되고, 피트를 매립하기 위해 형성된 매립부를 가진 활성층을 포함한다. 활성층은 각각의 우물층 및 각각의 장벽층이 서로 쌓이는 교대로 적층된 적어도 하나의 우물층 및 적어도 하나의 장벽층을 가지는 다중 양자 우물 구조를 가진다. 매립부는 상기 적어도 하나의 우물층에 대응하는 적어도 하나의 매립 우물부, 및 적어도 하나의 장벽부에 대응하는 적어도 하나의 매립 장벽부를 가진다. 적어도 하나의 매립 우물부 및 매립 장벽부 각각은, 적어도 하나의 매립 장벽부 중의 하나의 정점의 제 1 정각보다 상기 적어도 하나의 매립 우물부 중의 하나의 정점의 제 2 정각이 작고, 여기서 매립 우물부는 매립 장벽부상에 후속적으로 형성된다.