METROLOGY METHOD FOR LITHOGRAPHY PROCESS AND METHOD OF MONITORING LITHOGRAPHY PROCESS USING THE METROLOGY METHOD

An exposure process measuring method includes the following steps: drawing focus-sensitivity data and dose-sensitivity data for each sample to be implemented on a substrate; determining at least one focus pattern selected among the focus-sensitivity data drawn for each pattern sample in the order of high focus sensitivity; and determining at least one dose pattern selected in the order of high dose sensitivity among at least one low sensitivity focus pattern selected in the order of low focus sensitivity among the dose sensitivity data; forming a plurality of patterns for a focus split having a shape corresponding to at least one focus pattern and a plurality of patterns for a dose split having a shape corresponding to at least one dose pattern in a plurality of chip regions of a substrate for a split; and determining an optimum focus and an optimum dose from the patterns for a focus split and the patterns for a dose split. 노광 공정 계측 방법에서는 기판상에 구현하고자 하는 패턴 샘플들 각각에 대한 포커스 감도 데이터 및 도즈 감도 데이터를 도출한다. 패턴 샘플들 각각에 대하여 도출된 상기 포커스 감도 데이터 중 포커스 감도가 큰 순서대로 선택된 적어도 1 개의 포커스 패턴을 결정한다. 도즈 감도 데이터 중 포커스 감도가 작은 순서대로 선택된 적어도 1 개의 저감도 포커스 패턴 중 도즈 감도가 큰 순서대로 선택된 적어도 1 개의 도즈 패턴을 결정한다.스플릿용 기판의 복수의 칩 영역에 적어도 1 개의 포커스 패턴에 대응하는 형상의 복수의 포커스 스플릿용 패턴과, 적어도 1 개의 도즈 패턴에 대응하는 형상의 복수의 도즈 스플릿용 패턴을 형성한다. 복수의 포커스 스플릿용 패턴 및 복수의 도즈 스플릿용 패턴으로부터 최적의 포커스 및 최적의 도즈를 결정한다.