FORMATION OF SELF-ALIGNED SOURCE FOR SPLIT-GATE NON-VOLATILE MEMORY CELL

서로 마주하는 내부 측벽을 갖추고 제 1 전도성 타입의 기판으로부터 절연되고 그 기판 위에 배치되는 한 쌍의 전도성 플로팅 게이트를 가진다. 한 쌍의 이격된 전도성 컨트롤 게이트는 각각 플로팅 게이트들 중의 하나의 플로팅 게이트로부터 절연되고 그 하나의 플로팅 게이트 위에 각각 배치되며 서로 마주하는 내부 측벽을 각각 포함한다. 절연 재료의 한 쌍의 제 1 스페이서는 컨트롤 게이트의 내부 측벽을 따라 그리고 플로팅 게이트의 위로 연장한다. 플로팅 게이트의 내부 측벽은 상기 제 1 스페이서의 측면과 정렬된다. 절연 재료의 한 쌍의 제 2 스페이서는 제 1 스페이서들 중의 하나를 따라 그리고 상기 플로팅 게이트의 내부 측벽들 중의 하나를 따라 각각 연장한다. 기판의 내측에 형성되는 트렌치는 제 2 스페이서의 측 표면과 정렬되는 측벽을 가진다. 실리콘 카본은 트렌치 내에 배치된다. 실리콘 카본의 내측으로 주입되는 재료는 제 2 전도성 타입을 가지는 제 1 영역을 형성한다. A memory device having a pair of conductive floating gates with inner sidewalls facing each other, and disposed over and insulated from a substrate of first conductivity type. A pair of spaced apart conductive control gates each disposed over and insulated from one of the floating gates, and each including inner sidewalls facing each other. A pair of first spacers of insulation material extending along control gate inner sidewalls and over the floating gates. The floating gate inner sidewalls are aligned with side surfaces of the first spacers. A pair of second spacers of insulation material each extend along one of the first spacers and along one of the floating gate inner sidewalls. A trench formed into the substrate having sidewalls aligned with side surfaces of the second spacers. Silicon carbon disposed in the trench. Material implanted into the silicon carbon forming a first region having a second conductivity type.