APPARATUS FOR PROCESSING THE SUBSTRATE

According to the present invention, a substrate processing apparatus comprises: a processing chamber to conduct an etching process; a transfer chamber, wherein a first transfer module is installed to transfer a substrate, installed on one side of the processing chamber; and a cleaning chamber, wherein a cleaning module is installed to receive the substrate whose etching process is completed by the transfer chamber and clean the same, configured to perform in-situ coupling with the processing chamber. The cleaning module comprises: a spin chuck to seat the substrate; an operating unit to rotate the spin chuck; and a plurality of spraying nozzles seated in the spin chuck to spray cleaning liquid on the rotating substrate. The nozzles include: a first spraying nozzle seated in the spin chuck to spray the cleaning liquid on the center of the rotating substrate; and a second spraying nozzle seated in the spin chuck to spray the cleaning liquid on an edge of the rotating substrate. The purpose of the present invention is to provide the substrate processing apparatus capable of efficiently cleaning reaction gas used in the etching process. 본 기술에 따른 기판처리장치는 식각 공정이 수행되는 공정 챔버와, 공정 챔버에 일측에 설치되며, 기판을 이송하는 제1이송모듈이 설치된 트랜스퍼 챔버와, 트랜스퍼 챔버로부터 식각 공정이 수행된 기판을 전달받아 세정하는 세정모듈이 설치되고, 공정 챔버와 인-시튜로 연결되는 세정 챔버를 포함하고, 세정모듈은 기판이 안착되는 스핀 척과, 스핀 척을 회전시키는 구동유닛과, 스핀 척에 안착되어 회전되는 기판에 세정액을 분사하는 복수의 분사노즐을 포함하고, 복수의 분사노즐은 스핀 척에 안착되어 회전되는 기판의 중앙 영역에 세정액을 분사하는 제1분사노즐과, 스핀 척에 안착되어 회전되는 기판의 가장자리 영역에 세정액을 분사하는 제2분사노즐을 포함할 수 있다.