VERTICAL ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD THEREOF

The present invention relates to a vertical ultraviolet light emitting device and a manufacturing method thereof. The ultraviolet light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a p-type semiconductor layer including Al; an active layer which is located in the upper part of the p-type semiconductor layer and includes Al; an n-type semiconductor layer which is located in the upper part of the active layer and includes Al; an n-type doped metal contact layer which is located in the upper part of the n-type semiconductor layer and doped in an n type; and a pad formed on the upper part of the metal contact layer. The Al content of the metal contact layer may be lower than that of the n-type semiconductor layer. According to the present invention, the metal contact layer is formed on the n-type semiconductor layer. Thereby, the metal contact layer instead of the n-type semiconductor layer including AlGaN functions as a contact layer. So the n-type contact characteristic of the vertical ultraviolet light emitting device can be effectively improved. 본 발명은 자외선 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 발광소자는, Al을 포함하는 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층 상부에 위치하고, Al을 포함하는 활성층; 상기 활성층 상부에 위치하며, Al을 포함하는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상부에 위치하고, n형 도핑된 메탈 컨텍층; 및 상기 메탈 컨택층 상부에 형성된 패드를 포함하고, 상기 메탈 컨택층은 상기 n형 반도체층의 Al 함유량보다 낮은 Al 함유량을 가질 수 있다. 본 발명에 의하면, n형 반도체층 상에 메탈 컨택층을 형성함으로써, AlGaN이 포함된 n형 반도체층이 아닌 메탈 컨택층이 컨택층으로 작용하여 수직형 자외선 발광소자의 n형 컨택 특성을 효과적으로 개선시키는 효과가 있다.