ION IMPLANTATION METHOD AND ION IMPLANTER
The present invention discloses an ion implantation method and an ion implanter. The flow ratio of a dopant gas to a dilution gas transmitted to an ion source is controlled to be 3:1 to 20:1. The dopant gas may be the combination of hydrogen phosphide, boron trifluoride, carbon dioxide or their comb...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | The present invention discloses an ion implantation method and an ion implanter. The flow ratio of a dopant gas to a dilution gas transmitted to an ion source is controlled to be 3:1 to 20:1. The dopant gas may be the combination of hydrogen phosphide, boron trifluoride, carbon dioxide or their combination. The dilution gas may be hydrogen, helium, or their combination. If there are helium and hydrogen together in the dilution gas, the volume ratio of helium to hydrogen is controlled to be 1:99 to 3:17. By using a specific process, the lifetime of the ion source for usage can be extended.
본 발명은 이온 주입방법과 이온 주입기를 개시한다. 이온 소스에 전송되는 도펀트 가스와 희석 가스의 유량 비율은 3:1에서 20:1 사이에서 제어된다. 도펀트 가스는 인화수소, 삼불화붕소, 이산화탄소 또는 이들의 조합일 수 있고, 희석 가스는 수소, 헬륨 또는 이들의 조합일 수 있다. 희석 가스에 동시에 헬륨과 수소가 있을 경우, 헬륨과 수소의 체적비율은 1:99에서 3:17 사이에서 제어된다. 이러한 특정된 공정을 사용함으로써, 이온 소스의 사용수명을 연장할 수 있다. |
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