SINGLE RING DESIGN FOR HIGH YIELD, SUBSTRATE EXTREME EDGE DEFECT REDUCTION IN ICP PLASMA PROCESSING CHAMBER

본 발명의 실시예들은, 본체의 중심선에 근접하여 가장 가까운 내측 표면, 및 내측 표면의 반대쪽(opposite)의 외측 표면을 갖는 원형 링-형상 본체를 포함하는 단일 링을 제공한다. 본체는 바닥부 표면 및 정상부 표면을 가지며, 바닥부 표면은 바닥부 표면 내에 형성된 슬롯을 가지고, 정상부 표면은, 외측 표면에 인접한 외측 단부, 및 내측 표면 상의 계단부(step)까지 중심선을 향해 하방으로 연장되는 경사부(slope)에 인접한 내측 단부를 갖는다. 본체는, 계단부 아래의 수직면(vertical face)으로부터 본체의 중심선을 향해 연장되는, 내측 표면 상에 배치된 립(lip)을 가지며, 립은 기판을 립 상에 지지하도록 구성된다. 본체는, 기판과 계단부의 수직면 사이에서 립 상에 약 2mm 미만의 갭이 형성되도록, 크기가 정해진다. Embodiments of the invention provide a single ring comprising a circular ring-shaped body with an inner surface, closest in proximity to a centerline of the body, and an outer surface opposite the inner surface. The body has a bottom surface with a slot formed therein and a top surface with an outer end, adjacent to the outer surface, and an inner end adjacent to a slope extending, towards the centerline, down to a step on the inner surface. The body has a lip, disposed on the inner surface extending out from a vertical face below the step toward the centerline of the body, and is configured to support a substrate thereon. The body is sized such that a gap of less than about 2 mm is formed on the lip between the substrate and the vertical face of the step.