METHOD OF FORMING A THIN FILM OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Disclosed is a method for forming a thin film of a semiconductor device, comprising the following steps: forming a precursor layer on the surface of a substrate by supplying a precursor gas into a chamber; discharging the precursor gas remaining in the chamber to the outside of the chamber by supplying a purge gas into the chamber; supplying a reaction gas into the chamber; generating plasma from the reaction gas; forming a thin film by chemical reaction of the plasma and the precursor layer by radiating extreme ultraviolet (EUV) into the chamber; and discharging the reaction gas and the plasma remaining in the chamber to the outside of the chamber by supplying the purge gas into the chamber. 챔버 내로 전구체 가스를 공급하여 상기 기판의 표면에 전구체 층을 형성하고, 상기 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 챔버 내에 남아 있는 상기 전구체 가스를 상기 챔버 외부로 배출시키고, 상기 챔버 내로 반응 가스를 공급하고, 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 발생시키고, 상기 챔버 내로 EUV(Extreme Ultraviolet; 극자외선)를 조사하여 상기 플라즈마와 상기 전구체 층의 화학 반응에 의해 박막을 형성하고, 및 상기 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 챔버 내에 남아 있는 상기 반응 가스 및 상기 플라즈마를 상기 챔버 외부로 배출시키는 것을 포함하는 반도체 소자의 박막 형성 방법이 설명된다.