SOLAR CELL
The present invention relates to a solar cell. According to an embodiment of the present invention, the solar cell comprises: a semiconductor substrate containing a first conductive type impurity; an emitter part arranged on a rear surface of the semiconductor substrate and having a second conductiv...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | The present invention relates to a solar cell. According to an embodiment of the present invention, the solar cell comprises: a semiconductor substrate containing a first conductive type impurity; an emitter part arranged on a rear surface of the semiconductor substrate and having a second conductive type opposite to the first conductive type; a rear surface electric field part separately arranged from the emitter part on the rear surface of the semiconductor substrate and containing an impurity of the first conductive type with a higher concentration than the semiconductor substrate; an intrinsic semiconductor layer arranged in a separated space between the emitter part and the rear surface electric field part in the rear surface of the semiconductor substrate; a first passivation layer arranged on a first bonding surface wherein sides of the intrinsic semiconductor layer and the emitter part are bonded to each other; a first electrode connected to the emitter part; and a second electrode connected to the rear surface electric field part. The first passivation layer has a fixed charge (Qf) of the same polarity as first conductivity.
본 발명은 태양 전지에 관한 것이다. 본 발명의 일례에 따른 태양 전지는 제 1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 배치되며, 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입을 갖는 에미터부; 반도체 기판의 후면에 에미터부와 이격되어 배치되며, 반도체 기판보다 제1 도전성 타입의 불순물을 고농도로 함유하는 후면 전계부; 반도체 기판의 후면 중에서 에미터부와 후면 전계부 사이의 이격된 공간에 배치되는 진성 반도체층; 진성 반도체층과 에미터부의 측면이 서로 접합되는 제1 접합면 위에 배치되는 제1 패시베이션층; 에미터부에 연결되는 제1 전극; 및 후면 전계부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고, 제1 패시베이션층은 제1 도전성과 동일한 극성의 고정 전하(Qf, fixed charge)를 갖는다. |
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