WAFER LEVEL PACKAGE SOLDER BARRIER USED AS VACUUM GETTER

전자 디바이스 및 그 제조 방법들. 하나 이상의 방법들은 공동 및 공동을 둘러싸는 표면을 갖는 뚜껑 웨이퍼와, 검출기 디바이스 및 레퍼런스 디바이스를 갖는 디바이스 웨이퍼를 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 특정 예들에서, 티타늄 물질의 솔더 배리어층은 뚜껑 웨이퍼의 표면 위에 피착될 수 있다. 티타늄 물질의 솔더 배리어층은 또한 게터로서 기능하기 위해 활성화될 수 있다. 다양한 예들에서, 뚜껑 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼는 솔더를 이용하여 결합될 수 있고, 티타늄 물질의 솔더 배리어층은 솔더가 뚜껑 웨이퍼의 표면에 접촉하는 것을 방지할 수 있다. An electronic device and methods of manufacture thereof. One or more methods may include providing a lid wafer having a cavity and a surface surrounding the cavity and a device wafer having a detector device and a reference device. In certain examples, a solder barrier layer of titanium material may be deposited onto the surface of the lid wafer. The solder barrier layer of titanium material may further be activated to function as a getter. In various examples, the lid wafer and the device wafer may be bonded together using solder, and the solder barrier layer of titanium material may prevent the solder from contacting the surface of the lid wafer.