METHOD OF PROGRAMMING MEMORY DEVICE

A method for programming a memory device comprises the following steps of: programming a lower bit in a memory cell based on a first verification condition applied to a program about the lower bit among an upper bit and the lower bit programmed in the memory cell, which belongs to one word line and one bit line; and programming the upper bit in the memory cell based on a second verification condition applied to a program about the upper bit. According to embodiments of the present invention, the method for programming a memory device executes a program by making the verification conditions different in the programs about the lower and upper bits so as to optimize threshold voltage distribution, thereby increasing a performance. 메모리 장치의 프로그램 방법은 하나의 워드라인 및 하나의 비트라인에 속한 메모리 셀에 프로그램되는 상위 비트 및 하위 비트 중 하위 비트에 대한 프로그램에 적용되는 제1 검증 조건에 기초하여 하위 비트를 메모리 셀에 프로그램하는 단계 및 상위 비트에 대한 프로그램에 적용되는 제2 검증 조건에 기초하여 상위 비트를 메모리 셀에 프로그램하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 프로그램 방법은 하위 비트에 대한 프로그램에서의 검증 조건과 상위 비트에 대한 프로그램에서의 검증 조건을 달리하여 프로그램을 진행함으로써 문턱 전압 산포를 최적화하여 성능을 향상시킬 수 있다.