NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND WORDLINE DRIVING METHOD THEREOF

According to the present invention, a nonvolatile memory device comprises a memory cell array, an address decoder, an input/output circuit, a voltage generation circuit, and a control logic. The memory cell array comprises a plurality of memory blocks having a plurality of strings. The address decoder measures impedance information of word lines of a selected memory block. The voltage generation circuit generates word line voltages to be applied to word lines. At least one of the word line voltages includes an offset voltage and a target voltage. The control logic adjusts a level of the offset voltage and offset time based on the measured impedance information of the word lines. 본 발명의 불휘발성 메모리 장치는 메모리 셀 어레이, 어드레스 디코더, 입출력 회로, 전압 발생 회로, 및 제어 로직을 포함한다. 메모리 셀 어레이는 복수의 스트링들을 갖는 복수의 메모리 블록들을 포함한다. 어드레스 디코더는 선택된 메모리 블록의 워드 라인들의 임피던스 정보를 측정한다. 전압 발생 회로는 워드 라인들에 인가되는 워드 라인 전압들을 발생한다. 워드 라인 전압들 중 적어도 하나는 옵셋 전압과 타켓 전압을 포함한다. 제어 로직은 측정된 워드 라인들의 임피던스 정보를 근거로 옵셋 전압의 레벨 및 옵셋 시간을 조절한다.