SOLAR CELL AND THE MANUFACTURING MATHOD THEREOF

The present invention relates to a solar cell and a manufacturing method thereof. A solar cell according to an embodiment of the present invention comprises: a semiconductor substrate; a front electric field unit made of single crystal silicon which is located on the front surface of the semiconductor substrate; a tunnel layer located on the back surface of the semiconductor substrate; an emitter unit located on a side of a back surface of the tunnel layer; a back electric field unit located on a side of a back surface of the tunnel layer; a first electrode connected to the emitter unit; and a second electrode connected to the back electric field unit. The ratio of a resistance value of the front electric field unit to a resistance value of the back electric field unit ranges from 10: 1 to 3:1. In addition, a manufacturing method of solar cell according to an embodiment of the present invention comprises: a step of evaporation of the tunnel layer and an intrinsic semiconductor layer on the back surface of the semiconductor substrate; a step of implantation of impurities into a first area of the intrinsic semiconductor layer; a step of forming a diffusion barrier in the first area in the intrinsic semiconductor layer; a step of forming the front electric field unit on the front surface of the semiconductor substrate and of forming the back electric field unit and the emitter unit on the intrinsic semiconductor layer simultaneously by thermally diffusing the same doping source on the back and front surfaces of the semiconductor substrate; a step of etching simultaneously the front and back surfaces of the semiconductor substrate; and a step of forming the first electrode on the emitter unit and of forming the second electrode on the back electric field unit. 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일례에 따른 태양 전지는 반도체 기판; 반도체 기판의 전면에 배치되는 단결정 실리콘 재질의 전면 전계부; 반도체 기판의 후면에 배치되는 터널층; 터널층의 후면의 일부에 배치되는 에미터부; 터널층의 후면의 일부에 배치되는 후면 전계부; 에미터부에 연결되는 제1 전극; 및 후면 전계부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고, 전면 전계부의 저항값 대비 후면 전계부의 저항값 비는 10:1 ~ 3:1 사이이다. 또한, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 제조 방법은 반도체 기판의 후면에 터널층을 증착하고 진성 반도체층을 증착하는 단계; 진성 반도체층의 제1 영역에 불순물을 주입(implantation)하는 단계; 진성 반도체층 중에서 제1 영역 위에 확산 방지막을 형성하는 단계; 반도체 기판의 후면 및 전면에 동일한 도핑 소스를 동시에 열확산시켜, 반도체 기판의 전면에 전면 전계부와, 진성 반도체층에 후면 전계부와 에미터부를 동시에 형성하는 단계; 반도체 기판의 전면과 후면을 동시에 에칭하는 단계; 및 에미터부 위에 제1 전극을 형성하고, 후면 전계부 위에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.