LEAKAGE CURRENT DETECTION DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

A leaked current sensing device includes a test detecting part, a standard detecting part, a comparing part, and a latch part. The test detecting part is connected between a test node and a test line corresponding to one among operation lines, connected to a memory cell array of a nonvolatile memory device, floats the test line and the test node after charging the test line by applying a power voltage to the test node, and drops a voltage of the test node based on a leaked current of the test line. A standard detecting part is connected between a standard node and a standard line delivering an operation signal, of which type is the same as the test line among the operation lines, floats the standard line and the standard node after charging the standard line by applying a power voltage to the standard node, and drops a voltage of the standard node based on the natural discharge of the standard line. The comparing part compares the voltage of the test node with the voltage of the standard node to output a comparison signal. The latch part latches the comparison signal in response to a latch control signal to generate a test result signal. 누설 전류 감지 장치는 테스트 검출부, 기준 검출부, 비교부 및 래치부를 포함한다. 테스트 검출부는 비휘발성 메모리 장치의 메모리 셀 어레이에 연결되는 구동 라인들 중의 하나에 상응하는 테스트 라인 및 테스트 노드 사이에 연결되고, 테스트 노드에 전원 전압을 인가하여 테스트 라인을 충전한 후 테스트 노드 및 테스트 라인을 플로팅시키고, 테스트 라인의 누설 전류에 기초하여 테스트 노드의 전압을 강하시킨다. 기준 검출부는 구동 라인들 중에서 테스트 라인과 동일한 타입의 구동 신호를 전달하는 기준 라인 및 기준 노드 사이에 연결되고, 기준 노드에 전원 전압을 인가하여 기준 라인을 충전한 후 기준 노드 및 기준 라인을 플로팅시키고, 기준 라인의 자연 방전에 기초하여 기준 노드의 전압을 강하시킨다. 비교부는 테스트 노드의 전압 및 기준 노드의 전압을 비교하여 비교 신호를 출력한다. 래치부는 래치 제어 신호에 응답하여 비교 신호를 래치하여 테스트 결과 신호를 생성한다.