METAL GATE STACK HAVING TIALCN AS WORK FUNCTION LAYER AND/OR BLOCKING/WETTING LAYER

Disclosed are a metal gate stack having a titanium aluminum carbon nitride (TiAlCN) as a work function layer and/or a multi-functional blocking/wetting layer, and a method for manufacturing the same. In an embodiment, an integrated circuit device comprises: a semiconductor substrate; and a gate stack arranged on the top of the semiconductor substrate. The gate stack comprises: a gate dielectric layer arranged on the top of the semiconductor substrate; a multi-functional blocking/wetting layer arranged on the top of the gate dielectric layer; a work function layer arranged on the top of the multi-functional blocking/wetting layer; and a conductive layer arranged on the top of the work function layer. 일함수층 및/또는 다기능 차단/습윤층으로서 티타늄 알루미늄 탄소 질화물(TiAlCN)을 갖는 금속 게이트 스택, 및 그 제조 방법이 개시된다. 일례에서, 집적 회로 디바이스는 반도체 기판, 및 반도체 기판 상부에 배치된 게이트 스택을 포함한다. 게이트 스택은 반도체 기판 상부에 배치된 게이트 유전체층, 게이트 유전체층 상부에 배치된 다기능 차단/습윤층, 다기능 차단/습윤층 상부에 배치된 일함수층, 및 일함수층 상부에 배치된 도전성 층을 포함한다.