COPPER AND/OR COPPER OXIDE DISPERSION, AND ELECTROCONDUCTIVE FILM FORMED USING DISPERSION

본 발명은 경시 변화에 대하여 우수한 안정성을 나타내고, 또한, 미세한 패턴형의 도전막을 형성할 수 있는 구리 및/또는 구리 산화물 분산체, 이러한 구리 및/또는 구리 산화물 분산체를 이용하여 제조하는 도전막을 적층한 도전막 적층체, 및 도전막 트랜지스터의 제공한다. 상기 구리 및/또는 구리 산화물 분산체는, 구리 및/또는 구리 산화물 미립자 0.50 질량％ 이상 60 질량％ 이하와, 하기 (1)∼(4): (1) 표면 에너지 조정제, (2) 인산기를 갖는 유기 화합물, (3) 20℃에 있어서의 증기압 0.010 ㎩ 이상 20 ㎩ 미만인 용매 0.050 질량％ 이상 10 질량％ 이하, 및 (4) 20℃에 있어서의 증기압 20 ㎩ 이상 150 h㎩ 이하인 용매를 함유하고, 그리고 상기 도전막 적층체는, 구리를 함유하는 도전막을 기판 상에 적층한 것이다. To provide a copper and/or copper oxide dispersion capable of forming an electroconductive film exhibiting excellent stability with respect to temporal change and having a fine pattern form, an electroconductive film laminate obtained by laminating the electroconductive film produced using the copper and/or copper oxide dispersion, and an electroconductive film transistor. The copper and/or copper oxide dispersion contains 0.50-60 mass% of copper and/or copper oxide microparticles and the following components (1)-(4): (1) a surface energy modifier; (2) an organic compound having a phosphate group; (3) 0.050-10 mass% of a solvent having a vapor pressure of 0.010 Pa to less than 20 Pa at 20°C; and (4) a solvent having a vapor pressure of 20 Pa to 150 hPa at 20°C. The electroconductive laminate is obtained by laminating an electroconductive film containing copper on a substrate.