APPARATUS AND TECHNIQUES FOR CONTROLLING ION IMPLANTATION UNIFORMITY

이온 주입기내 이온 빔을 제어하는 시스템은 제 1 주파수에서의 이온빔의 복수개의 빔 전류 측정들을 감지하는 검출기 시스템, 복수개의 빔 전류 측정들에 기초하여 이온 빔의 변화를 결정하는 분석 컴포넌트를 포함하고, 변화는 제 1 주파수와 다른 제 2 주파수에서의 이온 빔의 빔 전류 변화에 해당한다. 시스템은 또한 변화를 줄이기 위해서 분석 컴포넌트의 출력에 응답하여 이온 빔을 조정하는 조정 컴포넌트를 포함하되, 분석 컴포넌트 및 조정 컴포넌트는 이온 빔이 이온 주입기내에서 생성되는 동안 이온 빔의 변화를 임계값 아래로 동적으로 줄이도록 구성된다. A system to control an ion beam in an ion implanter includes a detector to perform a plurality of beam current measurements of the ion beam along a first direction perpendicular to a direction of propagation of the ion beam. The system also includes an analysis component to determine a beam current profile based upon the plurality of beam current measurements, the beam current profile comprising a variation of beam current along the first direction; and an adjustment component to adjust a height of the ion beam along the first direction when the beam current profile indicates the beam height is below a threshold.