A PROCESS FOR SYNTHESIZING REDUCED GRAPHENE OXIDE ON A SUBSTRATE FROM SEEDLAC

A PROCESS FOR SYNTHESIZING REDUCED GRAPHENE OXIDE ON A SUBSTRATE FROM SEEDLAC

본 발명은 금속 시트 및 유리의 기재 상에 환원된 그래핀 산화물을 합성하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 탄소원으로서 씨드락을 사용하여 환원된 그래핀 산화물로 기재를 코팅하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따르면, C2-C4 알콜 내에서 씨드락 용액을 제조하고, 기재를 1회 이상 상기 씨드락 용액에 담근다. 그런 다음, 상기 기재를 1 내지 10분 동안 공기 중에서 건조시키고, 100 내지 500 sccm 범위의 다른 유속에서 10 내지 120분 동안 Ar / N/ Ar-H/ N- H의 제어된 분위기 하에서 4...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: VIKAS CHANDRA SRIVASTAVA, ASHIT KUMAR PRAMANICK, YASHABANTA NARAYAN SINGHBABU, SHYAM KUMAR CHOUDHARY, TAPAN KUMAR ROUT, MANISH KUMAR BHADU, SUMITESH DAS, RANJAN KUMAR SAHU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
CHEMISTRY
COMPOUNDS THEREOF
INORGANIC CHEMISTRY
METALLURGY
NON-METALLIC ELEMENTS
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 금속 시트 및 유리의 기재 상에 환원된 그래핀 산화물을 합성하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 탄소원으로서 씨드락을 사용하여 환원된 그래핀 산화물로 기재를 코팅하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따르면, C2-C4 알콜 내에서 씨드락 용액을 제조하고, 기재를 1회 이상 상기 씨드락 용액에 담근다. 그런 다음, 상기 기재를 1 내지 10분 동안 공기 중에서 건조시키고, 100 내지 500 sccm 범위의 다른 유속에서 10 내지 120분 동안 Ar / N/ Ar-H/ N- H의 제어된 분위기 하에서 400 내지 1200℃의 온도 범위 내에서 상기 기재에 열을 가한다. The present invention relates to synthesizing reduced graphene oxide on the surface of a metal sheet and glass. The invention particularly relates to a process for coating a substrate with reduced graphene oxide using seedlac as a carbon source. As per the process of the current invention, a solution of seedlac is prepared in an alcohol and the substrate is dipped in to the solution for one or more time. The substrate is then dried in air for 1-10 minutes and thereafter, heated to a temperature range of 400 to 1200° C. under controlled atmosphere of Ar/N2/Ar-H2/N2-H2 at a different flow rate ranging from 100 to 500 seem for a period of 10 to 120 minutes.