APPARATUS AND METHOD FOR TUNING A PLASMA PROFILE USING A TUNING ELECTRODE IN A PROCESSING CHAMBER

본 발명의 실시예들은, 기판의 플라즈마 프로세싱 동안, 플라즈마 프로파일을 개선하고 증착 레이트를 강화하기 위한 장치에 관한 것이다. 실시예들에 따르면, 장치는, 기판 지지 페데스탈에 배치되고 가변 캐패시터에 전기적으로 커플링된 튜닝 전극을 포함한다. 튜닝 전극에 대한 RF 및 결과적인 플라즈마 커플링을 제어하기 위해 커패시턴스가 제어된다. 튜닝 전극에서의 커패시턴스 및 임피던스를 조정하는 것에 의해, 기판에 걸친 플라즈마 프로파일 및 결과적인 증착 레이트 및 증착된 필름 두께가 상응하여 제어된다. Embodiments of the present invention relate to apparatus for enhancing deposition rate and improving a plasma profile during plasma processing of a substrate. According to embodiments, the apparatus includes a tuning electrode disposed in a substrate support pedestal and electrically coupled to a variable capacitor. The capacitance is controlled to control the RF and resulting plasma coupling to the tuning electrode. The plasma profile and the resulting deposition rate and deposited film thickness across the substrate are correspondingly controlled by adjusting the capacitance and impedance at the tuning electrode.