FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS

The purpose of the present invention is to provide a film forming method and a film forming device, capable of forming a film having a small surface profile without the crystallization of the surface. The method includes a first material gas supply process of supplying first material gas, including a first metal element, to a substrate; a second material gas supply process of supplying second material gas, including a second metal element, to the substrate; and a reaction gas supply process of making plasma of reaction gas, including a nonmetal element for generating first and second reaction products by reacting to the first and second metal elements, and supplying the reaction gas to the substrate in order to generate a third reaction product, including the first and second metal elements and the nonmetal element. A mixture ratio of the first metal element, included in the third reaction product, is higher than the second metal element, and the crystallization temperature of the second reaction product is higher than the crystallization temperature of the first reaction product. 본 발명은, 표면이 결정화되지 않고 표면 조도가 작은 막을 형성할 수 있는 성막 방법 및 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판 위에 제1 금속 원소를 포함하는 제1 원료 가스를 공급하는 제1 원료 가스 공급 공정과, 상기 기판 위에 제2 금속 원소를 포함하는 제2 원료 가스를 공급하는 제2 원료 가스 공급 공정과, 상기 기판 위에, 상기 제1 금속 원소 및 상기 제2 금속 원소와 반응해서 각각 제1 반응 생성물 및 제2 반응 생성물을 생성할 수 있는 비금속 원소를 포함하는 반응 가스를 플라즈마화해서 공급하여, 상기 제1 및 제2 금속 원소와 상기 비금속 원소를 포함하는 제3 반응 생성물을 생성하는 반응 가스 공급 공정을 갖고, 상기 제3 반응 생성물에 포함되는 상기 제1 금속 원소의 혼합 비율은 상기 제2 금속 원소보다 높고, 상기 제2 반응 생성물의 결정화 온도는 상기 제1 반응 생성물의 결정화 온도보다 높다.