VERTICAL TYPE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

The present invention relates to a vertical type optical semiconductor device capable of outputting light received through the upper side of a top reflection layer or emitting the light through the upper side of the top reflection layer as electric energy by successively stacking a bottom reflection layer, a cavity layer with an active layer, and the top reflection layer on a substrate. The bottom reflection layer is formed with a structure where a first layer including As and a second layer which is made of Ge are stacked alternately. According to the vertical type optical semiconductor device and the manufacturing method thereof, the number of the stacked layers of reflection layer required for obtaining high reflectivity is reduced. Light of a long wavelength over 1500nm is used. 본 발명은 기판 위에 하부 반사층과, 활성층을 갖는 캐비티층 및 상부 반사층이 순차적으로 적층되어 상부 반사층의 상부를 통해 광을 방사 또는 상부 반사층의 상부를 통해 광을 수신한 광을 전기 에너지로 출력할 수 있도록 된 수직형 광반도체 소자에 관한 것으로서, 하부 반사층은 비소(As)를 포함하여 형성된 제1층과, 게르마늄(Ge)로 형성된 제2층이 수직상으로 교대로 반복적층된 구조로 형성되어 있다. 이러한 수직형 광반도체 소자 및 그 제조방법에 의하면, 고반사율을 얻기 위해 요구되는 반사층의 반복 적층수를 줄일 수 있고, 1500nm 이상의 장파장의 광도 이용할 수 있는 장점을 제공한다.