SELECTIVE INDUCTIVE DOUBLE PATTERNING

반도체 피쳐들을 형성하기 위한 유도 결합된 전력 (ICP) 플라즈마 프로세싱 챔버가 제공된다. 진공 챔버, 진공 챔버 내에 유도 결합 전력을 제공하기 위한 그 진공 챔버에 인접한 적어도 하나의 안테나, 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 실리콘 기판을 지지하기 위한 기판 지지체, 압력 조절기, 가스를 플라즈마 프로세싱 챔버로 제공하기 위한 가스 인렛, 및 플라즈마 프로세싱 챔버로부터 가스를 배기시키기 위한 가스 아웃렛을 포함하는 플라즈마 프로세싱 챔버가 제공된다. 가스 분배 시스템이 제 1 가스 및 제 2 가스를 제공하기 위한 가스 인렛에 유체 연결되어 있고, 여기서, 가스 분배 시스템은 5 초 미만의 기간 안에 플라즈마 존에서 제 1 가스 및 제 2 가스 중 하나의 가스를 제 1 가스 및 제 2 가스 중 다른 하나의 가스로 실질적으로 교체할 수 있다. An inductively coupled power (ICP) plasma processing chamber for forming semiconductor features is provided. A plasma processing chamber is provided, comprising a vacuum chamber, at least one antenna adjacent to the vacuum chamber for providing inductively coupled power in the vacuum chamber, a substrate support for supporting a silicon substrate within the plasma processing chamber, a pressure regulator, a gas inlet for providing gas into the plasma processing chamber, and a gas outlet for exhausting gas from the plasma processing chamber. A gas distribution system is in fluid connection with the gas inlet for providing a first gas and a second gas, wherein the gas distribution system can substantially replace one of the first gas and the second gas in the plasma zone with the other of the first gas and the second gas within a period of less than 5 seconds.