SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Provided are a semiconductor device and a manufacturing method thereof. Provided are a stack structure having insulating films and gate electrodes and vertical channel structures penetrating the stack structure wherein the insulating films and the gate electrodes are alternately stacked on a substrate. A first vertical channel pattern expanding toward the substrate is arranged in a lower portion of each vertical channel structure and a gate oxide film is formed on a sidewall of the first vertical channel pattern. A recess area is formed on the substrate between the vertical channel structures. A buffer oxide film is formed in the recess area. An oxidation suppressing layer for suppressing growth of the buffer oxide film while contacting the buffer oxide film is provided to the substrate wherein the oxidation suppressing layer surrounds the recess area. 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 교대로 반복 적층된 절연막들과 게이트 전극들을 포함하는 적층 구조체, 및 적층 구조체를 관통하는 수직 채널 구조체들이 제공된다. 각 수직 채널 구조체의 하부에는 기판으로 연장되는 제1 수직 채널 패턴이 배치되고, 그 측벽에는 게이트 산화막이 형성된다. 수직 채널 구조체들 사이의 기판에 리세스 영역이 형성된다. 리세스 영역 내에는 버퍼 산화막이 형성되고, 버퍼 산화막과 접하며 버퍼 산화막의 성장을 억제하는 산화 억제층이 리세스 영역을 감싸며 기판에 제공된다.