METHOD AND DEVICE FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION OF NANOSTRUCTURES

Disclosed are a method and a device to measure a critical dimension of nanostructures capable of measuring the critical dimension of nanostructures using multispectral imageries. The method to measure a critical dimension of nanostructures comprises: a step of acquiring reference intensity distributions of light scattered from a reference object in other positions of the reference object arranged in an optical axis; a step of generating a library of reference intensity distribution arrays using the reference intensity distributions; a step of determining the intensity distributions of the light scattered by the object to be irradiated with respect to multiple spectrum domains in other positions of the object to be irradiated arranged in the optical axis; a step of generating an intensity distribution array using the determined intensity distributions; and a step of determining information on the critical dimension of the object to be irradiated by comparing the intensity distribution array with the library of the reference intensity distribution arrays. 나노구조체의 임계치수를 측정하는 방법 및 장치가 개시된다. 개시된 나노구조체의 임계치수 측정방법은, 광축(optical axis)을 따라 배치되는 기준 물체(reference object)의 다른 위치들에서 상기 기준 물체로부터 산란된 광의 기준 세기 분포들을 획득하는 단계, 상기 기준 세기 분포들을 이용하여 기준 세기 분포 어레이들의 라이브러리를 생성하는 단계, 광축을 따라 배치되는 조사 대상 물체의 다른 위치들에서 복수의 스펙트럼 영역에 대해 상기 조사대상 물체에 의해 산란된 광의 세기 분포들을 결정하는 단계, 상기 결정된 세기 분포들을 이용하여 세기 분포 어레이를 생성하는 단계 및 상기 세기 분포 어레이와 상기 기준 세기 분포 어레이들의 라이브러리를 비교하여 상기 조사대상 물체의 임계치수에 대한 정보를 결정하는 단계를 포함한다.