POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH IMPROVED GATE CHARGE

A gate power transistor with slot is a lateral power device including a substrate, a gate dielectric formed over the substrate, a channel region in the substrate below the gate dielectric, and gate electrode layer formed over the gate dielectric. The gate electrode layer overlaps the gate dielectric above the channel region, an accumulation region, and a drift region below an oxide filled shallow trench isolation (or STI) or locally oxidized silicon (LOCOS) region. The gate power transistor with slot includes one or more slots or openings on the gate electrode layer over the accumulation region. Electrical connectivity is maintained over the entire gate electrode layer without external wiring. 슬롯 형성된 게이트 전력 트랜지스터는 기판, 상기 기판 위쪽에 형성된 게이트 유전체, 상기 게이트 유전체 아래쪽의 상기 기판 내의 채널 구역, 및 상기 게이트 유전체 위쪽에 형성된 게이트 전극층을 포함하는 측방향 전력 디바이스이다. 상기 게이트 전극층은, 상기 채널 구역 위쪽에 있는 상기 게이트 유전체, 축적 구역, 및 산화물-충전된 얕은 트렌치 격리(또는 STI) 또는 국부적으로 산화된 실리콘(LOCOS) 구역 아래쪽의 드리프트 구역과 중첩된다. 상기 슬롯 형성된 게이트 전력 트랜지스터는 상기 축적 구역 위쪽의 게이트 전극층 상에 하나 이상의 슬롯 또는 개구를 포함한다. 전기적 연결성이 외부 배선 없이 전체 게이트 전극층 위쪽에서 유지된다.