METHOD OF PATTERNING A SILICON NITRIDE DIELECTRIC FILM

실리콘 질화물 유전체 필름들을 패터닝하는 방법들이 설명된다. 예를 들어, 유전체 필름을 등방성으로(isotropically) 에칭하는 방법은, 실리콘 질화물 층의 수정된(modified) 부분과 수정되지 않은 부분을 제공하기 위해, 실리콘 질화물 층의 노출된 영역들을 산소-기반(oxygen-based) 플라즈마 프로세스로 부분적으로 수정하는 단계를 수반한다. 방법은 또한, 수정되지 않은 부분에 대해 선택적으로, 실리콘 질화물 층의 수정된 부분을 제 2 플라즈마 프로세스로 제거하는 단계를 수반한다. Methods of patterni...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	BELOSTOTSKIY SERGEY G, NEMANI SRINIVAS D, LUBOMIRSKY DMITRY, PENDER JEREMIAH T, ZHOU QINGJUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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