METHOD OF PATTERNING A SILICON NITRIDE DIELECTRIC FILM

METHOD OF PATTERNING A SILICON NITRIDE DIELECTRIC FILM

실리콘 질화물 유전체 필름들을 패터닝하는 방법들이 설명된다. 예를 들어, 유전체 필름을 등방성으로(isotropically) 에칭하는 방법은, 실리콘 질화물 층의 수정된(modified) 부분과 수정되지 않은 부분을 제공하기 위해, 실리콘 질화물 층의 노출된 영역들을 산소-기반(oxygen-based) 플라즈마 프로세스로 부분적으로 수정하는 단계를 수반한다. 방법은 또한, 수정되지 않은 부분에 대해 선택적으로, 실리콘 질화물 층의 수정된 부분을 제 2 플라즈마 프로세스로 제거하는 단계를 수반한다. Methods of patterni...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BELOSTOTSKIY SERGEY G, NEMANI SRINIVAS D, LUBOMIRSKY DMITRY, PENDER JEREMIAH T, ZHOU QINGJUN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:실리콘 질화물 유전체 필름들을 패터닝하는 방법들이 설명된다. 예를 들어, 유전체 필름을 등방성으로(isotropically) 에칭하는 방법은, 실리콘 질화물 층의 수정된(modified) 부분과 수정되지 않은 부분을 제공하기 위해, 실리콘 질화물 층의 노출된 영역들을 산소-기반(oxygen-based) 플라즈마 프로세스로 부분적으로 수정하는 단계를 수반한다. 방법은 또한, 수정되지 않은 부분에 대해 선택적으로, 실리콘 질화물 층의 수정된 부분을 제 2 플라즈마 프로세스로 제거하는 단계를 수반한다. Methods of patterning silicon nitride dielectric films are described. For example, a method of isotropically etching a dielectric film involves partially modifying exposed regions of a silicon nitride layer with an oxygen-based plasma process to provide a modified portion and an unmodified portion of the silicon nitride layer. The method also involves removing, selective to the unmodified portion, the modified portion of the silicon nitride layer with a second plasma process.