SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises: a lower chamber with an upper part opened; an upper chamber to form an inner space in which a process for a substrate is performed with the lower chamber, which opens and closes an upper part of the lower chamber; a shower head installed under the upper chamber to supply a response gas to the inner space and have a buffer space between the shower head and the upper chamber; a dividing member installed within the buffer space to divide the buffer space into a plurality of diffusion areas; and a plurality of gas supply ports formed on the upper chamber to supply the response gas to the diffusion areas respectively. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판처리장치는, 상부가 개방된 하부챔버; 상기 하부챔버의 상부를 개폐하며, 상기 하부챔버와 함께 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 형성하는 상부챔버; 상기 상부챔버의 하부에 설치되어 상기 내부공간을 향하여 반응가스를 공급하며, 상기 상부챔버와의 사이에 버퍼공간이 형성되는 샤워헤드; 상기 버퍼공간 내에 설치되어 상기 버퍼공간을 복수의 확산구역들로 구획하는 구획부재; 그리고 상기 상부챔버에 형성되어 각각의 상기 확산구역을 향하여 상기 반응가스를 공급하는 복수의 가스공급포트들을 포함한다.