METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE WITH EXCELLENT CRYSTALLINE QUALITY

Disclosed are a nitride semiconductor light emitting device capable of preventing a current concentration and improving luminous efficiency, and a manufacturing method thereof. The nitride semiconductor light emitting device according to the present invention includes: a light emitting structure which includes a first conductive nitride semiconductor layer, an active layer, and a second conductive nitride semiconductor layer; an insulation layer which is formed on a partial region of the light emitting structure; a first electrode pad which is formed on the insulation layer and is electrically connected to the first conductive nitride semiconductor layer; a second electrode pad which is formed on the light emitting structure and is electrically connected to the second conductive nitride semiconductor layer; a first branch electrode which is electrically connected to the first electrode pad; a second branch electrode which is electrically connected to the second electrode pad; and a current blocking layer which is composed of a nanoparticle type insulator extending a current path between the first electrode pad and the second branch electrode on the lower side of the first electrode pad. 전류 집중을 방지할 수 있으며, 광 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조체; 상기 발광구조체 상의 일부 영역에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 패드; 상기 발광구조체 상에 형성되며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2전극 패드; 상기 제1 전극 패드에 전기적으로 연결되는 제1 가지 전극; 상기 제2전극 패드에 전기적으로 연결되는 제2 가지 전극; 및 상기 제1 전극 패드 하부에는 상기 제1 전극 패드와 상기 제2 가지 전극 간의 전류 패스(current path)를 연장하는 나노입자 형태의 절연체로 형성된 전류차단층을 포함하는 것을 특징으로 한다.